N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3

RS kataloški broj:: 134-9698robna marka: VishayProizvođački broj:: SIRA90DP-T1-RE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V

Width

5.26mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

102 nC @ 10 V

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 1,19

Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

€ 1,392

Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3
Odaberite vrstu pakovanja

€ 1,19

Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

€ 1,392

Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V

Width

5.26mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

102 nC @ 10 V

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više