Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A

RS kataloški broj:: 827-4909brend: Texas InstrumentsProizvođački broj:: CSD18563Q5A
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

VSONP

Series

NexFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

10.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5.8mm

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.274

RSD 254,738 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 1.528

RSD 305,686 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.274
10RSD 2.547
15RSD 3.821
20RSD 5.095
25RSD 5.715
30RSD 6.858
35RSD 8.001
40RSD 9.144
45RSD 10.287
50RSD 11.431
55RSD 12.574
60RSD 13.717
65RSD 14.860
70RSD 16.003
75RSD 17.146

RSD 1.274

RSD 254,738 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 1.528

RSD 305,686 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.274
10RSD 2.547
15RSD 3.821
20RSD 5.095
25RSD 5.715
30RSD 6.858
35RSD 8.001
40RSD 9.144
45RSD 10.287
50RSD 11.431
55RSD 12.574
60RSD 13.717
65RSD 14.860
70RSD 16.003
75RSD 17.146

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo pakovanje
5 - 20RSD 254,738RSD 1.274
25 - 95RSD 228,611RSD 1.143
100 - 245RSD 206,403RSD 1.032
250 - 495RSD 201,178RSD 1.006
500+RSD 198,565RSD 993

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

VSONP

Series

NexFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

10.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5.8mm

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više