Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3

RS kataloški broj:: 178-3877Probna marka: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SQ2364EES-T1_GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.46V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 103,66

KM 1,037 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 121,28

KM 1,213 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 25
100KM 103,66
125KM 129,57
150KM 155,49
175KM 181,40
200KM 207,31
225KM 233,23
250KM 259,14
275KM 285,06
300KM 310,97
325KM 336,89
350KM 362,80
375KM 388,72
400KM 414,63
425KM 440,54
450KM 466,46

KM 103,66

KM 1,037 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 121,28

KM 1,213 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 25
100KM 103,66
125KM 129,57
150KM 155,49
175KM 181,40
200KM 207,31
225KM 233,23
250KM 259,14
275KM 285,06
300KM 310,97
325KM 336,89
350KM 362,80
375KM 388,72
400KM 414,63
425KM 440,54
450KM 466,46

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

količinaJedinična cijenaPo kolut
100 - 475KM 1,037KM 25,91
500 - 975KM 0,90KM 22,49
1000+KM 0,802KM 20,05

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.46V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više