N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN140N30P

RS kataloški broj:: 193-739robna marka: IXYSProizvođački broj:: IXFN140N30PDistrelec Article No.: 30253363
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.2mm

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 51,41

€ 51,41 Each (bez PDV-a)

€ 60,15

€ 60,15 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN140N30P
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1€ 51,41
2€ 102,22
3€ 153,33
4€ 204,44
5€ 255,55
6€ 306,66
7€ 357,77
8€ 408,88
9€ 459,99
10€ 511,10
11€ 562,21
12€ 613,32
13€ 664,43
14€ 715,54
15€ 766,65

€ 51,41

€ 51,41 Each (bez PDV-a)

€ 60,15

€ 60,15 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN140N30P
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1€ 51,41
2€ 102,22
3€ 153,33
4€ 204,44
5€ 255,55
6€ 306,66
7€ 357,77
8€ 408,88
9€ 459,99
10€ 511,10
11€ 562,21
12€ 613,32
13€ 664,43
14€ 715,54
15€ 766,65

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijena
1 - 1€ 51,41
2+€ 51,11

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.2mm

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više