N-Channel MOSFET, 47 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MagnaChip MDU1516URH

RS kataloški broj:: 871-5012robna marka: MagnaChipProizvođački broj:: MDU1516URH
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

47 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerDFN56

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

35.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14.6 nC @ 10 V

Width

5.1mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Height

1.1mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 47 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MagnaChip MDU1516URH
Odaberite vrstu pakovanja

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 47 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MagnaChip MDU1516URH
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

47 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerDFN56

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

35.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14.6 nC @ 10 V

Width

5.1mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Height

1.1mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više