N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4503NT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 0,43
Each (In a Pack of 25) (bez PDV-a)
€ 0,503
Each (In a Pack of 25) (s PDV-om)
Standard
25
€ 0,43
Each (In a Pack of 25) (bez PDV-a)
€ 0,503
Each (In a Pack of 25) (s PDV-om)
Standard
25
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,43 | € 10,75 |
| 100 - 225 | € 0,37 | € 9,25 |
| 250 - 475 | € 0,34 | € 8,50 |
| 500 - 975 | € 0,31 | € 7,75 |
| 1000+ | € 0,29 | € 7,25 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda