onsemi Dual P-Channel MOSFET, 430 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 NTZD3152PT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
430 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-563
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
2
Width
1.3mm
Length
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.6mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 73.156
RSD 18,289 komad (u Reel od 4000) (bez PDV-a)
RSD 87.787
RSD 21,947 komad (u Reel od 4000) (s PDV-om)
4000
RSD 73.156
RSD 18,289 komad (u Reel od 4000) (bez PDV-a)
RSD 87.787
RSD 21,947 komad (u Reel od 4000) (s PDV-om)
4000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
430 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-563
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
2
Width
1.3mm
Length
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.6mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda