Toshiba Silicon P-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J356R,LF(T

RS kataloški broj:: 236-3572robna marka: ToshibaProizvođački broj:: SSM3J356R,LF(T
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4e+008 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 880,11

KM 0,293 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 1.029,73

KM 0,343 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

Toshiba Silicon P-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J356R,LF(T

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 880,11
6000KM 1.760,22
9000KM 2.640,33
12000KM 3.520,44
15000KM 4.400,55
18000KM 5.280,66
21000KM 6.160,77
24000KM 7.040,88
27000KM 7.920,99
30000KM 8.801,10
33000KM 9.681,21
36000KM 10.561,32
39000KM 11.441,43
42000KM 12.321,54
45000KM 13.201,65

KM 880,11

KM 0,293 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 1.029,73

KM 0,343 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

Toshiba Silicon P-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J356R,LF(T
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 880,11
6000KM 1.760,22
9000KM 2.640,33
12000KM 3.520,44
15000KM 4.400,55
18000KM 5.280,66
21000KM 6.160,77
24000KM 7.040,88
27000KM 7.920,99
30000KM 8.801,10
33000KM 9.681,21
36000KM 10.561,32
39000KM 11.441,43
42000KM 12.321,54
45000KM 13.201,65

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4e+008 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više