Diodes Inc Quad N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.8 A, 3.1 A, 30 V, 8-Pin SM ZXMHC3A01T8TA

RS kataloški broj:: 823-1877Pbrend: DiodesZetexProizvođački broj:: ZXMHC3A01T8TA
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

DiodesZetex

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

1.8 A, 3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SM

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ, 330 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

1.7 W

Transistor Configuration

Full Bridge

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

4

Length

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.9 nC @ 10 V, 5.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

RSD 5.389

RSD 359,246 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 6.466

RSD 431,095 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Diodes Inc Quad N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.8 A, 3.1 A, 30 V, 8-Pin SM ZXMHC3A01T8TA
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

15

Dostupno u više komada 5
15RSD 5.389
20RSD 7.185
25RSD 8.981
30RSD 10.777
35RSD 12.574
40RSD 14.370
45RSD 16.166
50RSD 16.329
55RSD 17.962
60RSD 19.595
65RSD 21.228
70RSD 22.861
75RSD 24.494
80RSD 26.127
85RSD 27.760

RSD 5.389

RSD 359,246 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 6.466

RSD 431,095 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Diodes Inc Quad N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.8 A, 3.1 A, 30 V, 8-Pin SM ZXMHC3A01T8TA

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

15

Dostupno u više komada 5
15RSD 5.389
20RSD 7.185
25RSD 8.981
30RSD 10.777
35RSD 12.574
40RSD 14.370
45RSD 16.166
50RSD 16.329
55RSD 17.962
60RSD 19.595
65RSD 21.228
70RSD 22.861
75RSD 24.494
80RSD 26.127
85RSD 27.760

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinaJedinična cenaPo kolut
15 - 45RSD 359,246RSD 1.796
50 - 245RSD 326,587RSD 1.633
250 - 495RSD 293,929RSD 1.470
500+RSD 267,802RSD 1.339

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

DiodesZetex

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

1.8 A, 3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SM

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ, 330 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

1.7 W

Transistor Configuration

Full Bridge

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

4

Length

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.9 nC @ 10 V, 5.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više