Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R048M1HXKSA1

RS kataloški broj:: 232-0389robna marka: InfineonProizvođački broj:: IMW65R048M1HXKSA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

39 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.064 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 530,41

KM 17,68 Each (In a Tube of 30) (bez PDV-a)

KM 620,58

KM 20,686 Each (In a Tube of 30) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R048M1HXKSA1

30

Dostupno u više komada 30
30KM 530,41
60KM 1.022,10
90KM 1.497,95
120KM 1.997,26
150KM 2.496,58
180KM 2.995,89
210KM 3.495,21
240KM 3.994,53
270KM 4.493,84
300KM 4.993,16
330KM 5.492,47
360KM 5.991,79
390KM 6.491,10
420KM 6.990,42
450KM 7.489,74

KM 530,41

KM 17,68 Each (In a Tube of 30) (bez PDV-a)

KM 620,58

KM 20,686 Each (In a Tube of 30) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R048M1HXKSA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

30

Dostupno u više komada 30
30KM 530,41
60KM 1.022,10
90KM 1.497,95
120KM 1.997,26
150KM 2.496,58
180KM 2.995,89
210KM 3.495,21
240KM 3.994,53
270KM 4.493,84
300KM 4.993,16
330KM 5.492,47
360KM 5.991,79
390KM 6.491,10
420KM 6.990,42
450KM 7.489,74

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

količinaJedinična cijenaPo cijev
30 - 30KM 17,68KM 530,41
60 - 60KM 17,035KM 511,05
90+KM 16,644KM 499,32

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

39 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.064 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više