Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Philippines
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
KM 97,79
KM 0,978 Each (In a Tube of 100) (bez PDV-a)
KM 114,41
KM 1,144 Each (In a Tube of 100) (s PDV-om)
100
KM 97,79
KM 0,978 Each (In a Tube of 100) (bez PDV-a)
KM 114,41
KM 1,144 Each (In a Tube of 100) (s PDV-om)
100
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 100 - 100 | KM 0,978 | KM 97,79 |
| 200 - 400 | KM 0,919 | KM 91,92 |
| 500+ | KM 0,88 | KM 88,01 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Philippines
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda