Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA00DP-T1-GE3

RS kataloški broj:: 787-9367Pbrend: VishayProizvođački broj:: SIRA00DP-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

147 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.26mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.12mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

RSD 22.208

RSD 444,159 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 26.650

RSD 532,991 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA00DP-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

50

Dostupno u više komada 5
50RSD 22.208
55RSD 24.429
60RSD 26.650
65RSD 28.870
70RSD 31.091
75RSD 33.312
80RSD 35.533
85RSD 37.753
90RSD 39.974
95RSD 42.195
100RSD 44.416
105RSD 46.637
110RSD 48.857
115RSD 51.078
120RSD 53.299

RSD 22.208

RSD 444,159 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 26.650

RSD 532,991 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA00DP-T1-GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

50

Dostupno u više komada 5
50RSD 22.208
55RSD 24.429
60RSD 26.650
65RSD 28.870
70RSD 31.091
75RSD 33.312
80RSD 35.533
85RSD 37.753
90RSD 39.974
95RSD 42.195
100RSD 44.416
105RSD 46.637
110RSD 48.857
115RSD 51.078
120RSD 53.299

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinaJedinična cenaPo kolut
50 - 120RSD 444,159RSD 2.221
125 - 245RSD 418,032RSD 2.090
250 - 495RSD 411,50RSD 2.057
500+RSD 398,436RSD 1.992

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

147 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.26mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.12mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više