Infineon BFP720H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 25 mA, 13 V, 4-Pin SOT-343

RS kataloški broj:: 897-7282Probna marka: InfineonProizvođački broj:: BFP720H6327XTSA1
brand-logo
Prikaži sve u Bipolar Transistors

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

25 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

13 V

Package Type

SOT-343

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

100 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

13 V

Maximum Emitter Base Voltage

1.2 V

Pin Count

4

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

2 x 1.25 x 0.9mm

Detalji o proizvodu

SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon

A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.

Bipolar Transistors, Infineon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 9,97

KM 0,665 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 11,67

KM 0,778 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Infineon BFP720H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 25 mA, 13 V, 4-Pin SOT-343
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 15.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 15.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

15

Dostupno u više komada 15
15KM 9,97
30KM 19,95
45KM 29,92
60KM 39,90
75KM 49,87
90KM 59,85
105KM 69,82
120KM 79,80
135KM 89,77
150KM 99,75
165KM 109,72
180KM 119,69
195KM 129,67
210KM 139,64
225KM 149,62

KM 9,97

KM 0,665 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 11,67

KM 0,778 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Infineon BFP720H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 25 mA, 13 V, 4-Pin SOT-343
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 15.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 15.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

15

Dostupno u više komada 15
15KM 9,97
30KM 19,95
45KM 29,92
60KM 39,90
75KM 49,87
90KM 59,85
105KM 69,82
120KM 79,80
135KM 89,77
150KM 99,75
165KM 109,72
180KM 119,69
195KM 129,67
210KM 139,64
225KM 149,62

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

25 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

13 V

Package Type

SOT-343

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

100 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

13 V

Maximum Emitter Base Voltage

1.2 V

Pin Count

4

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

2 x 1.25 x 0.9mm

Detalji o proizvodu

SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon

A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.

Bipolar Transistors, Infineon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više