Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4015SK3-13
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
3.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.2mm
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47.5 nC @ 5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.39mm
Zemlja podrijetla
Taiwan, Province Of China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 1.400,00
€ 0,56 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)
€ 1.638,00
€ 0,655 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)
2500
€ 1.400,00
€ 0,56 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)
€ 1.638,00
€ 0,655 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)
2500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
3.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.2mm
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47.5 nC @ 5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.39mm
Zemlja podrijetla
Taiwan, Province Of China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda