Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 61 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R039M1HXUMA1

RS kataloški broj:: 284-718robna marka: InfineonProizvođački broj:: IMT65R039M1HXUMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

61 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 55.427,37

KM 27,714 Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 64.850,02

KM 32,425 Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 61 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R039M1HXUMA1

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 55.427,37
4000KM 110.854,74
6000KM 166.282,12
8000KM 221.709,49
10000KM 277.136,86
12000KM 332.564,23
14000KM 387.991,60
16000KM 443.418,98
18000KM 498.846,35
20000KM 554.273,72
22000KM 609.701,09
24000KM 665.128,46
26000KM 720.555,84
28000KM 775.983,21
30000KM 831.410,58

KM 55.427,37

KM 27,714 Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 64.850,02

KM 32,425 Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 61 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R039M1HXUMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 55.427,37
4000KM 110.854,74
6000KM 166.282,12
8000KM 221.709,49
10000KM 277.136,86
12000KM 332.564,23
14000KM 387.991,60
16000KM 443.418,98
18000KM 498.846,35
20000KM 554.273,72
22000KM 609.701,09
24000KM 665.128,46
26000KM 720.555,84
28000KM 775.983,21
30000KM 831.410,58

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

61 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više