Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R083M1HXKSA1

RS kataloški broj:: 232-0396brend: InfineonProizvođački broj:: IMW65R083M1HXKSA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.111 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 31.313

RSD 1.043,773 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)

RSD 37.576

RSD 1.252,528 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R083M1HXKSA1

30

Dostupno u više komada 30
30RSD 31.313
60RSD 60.353
90RSD 90.530
120RSD 120.707
150RSD 147.160
180RSD 176.592
210RSD 206.024
240RSD 235.456
270RSD 264.888
300RSD 294.320
330RSD 323.752
360RSD 353.185
390RSD 382.617
420RSD 412.049
450RSD 441.481

RSD 31.313

RSD 1.043,773 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)

RSD 37.576

RSD 1.252,528 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R083M1HXKSA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

30

Dostupno u više komada 30
30RSD 31.313
60RSD 60.353
90RSD 90.530
120RSD 120.707
150RSD 147.160
180RSD 176.592
210RSD 206.024
240RSD 235.456
270RSD 264.888
300RSD 294.320
330RSD 323.752
360RSD 353.185
390RSD 382.617
420RSD 412.049
450RSD 441.481

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo cev
30 - 30RSD 1.043,773RSD 31.313
60 - 120RSD 1.005,889RSD 30.177
150+RSD 981,068RSD 29.432

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.111 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više