Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 302 A, 40 V, 7-Pin PG-TO263-7 IPF009N04NF2SATMA1
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
302 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 2.008,00
€ 2,51 komadno (u namotaju od 800) (bez PDV-a)
€ 2.349,36
€ 2,937 komadno (u namotaju od 800) (s PDV-om)
800
€ 2.008,00
€ 2,51 komadno (u namotaju od 800) (bez PDV-a)
€ 2.349,36
€ 2,937 komadno (u namotaju od 800) (s PDV-om)
800
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
302 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda