onsemi N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD3055L104T4G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
104 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.4 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Czech Republic
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 1.575,00
€ 0,63 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)
€ 1.842,75
€ 0,737 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)
2500
€ 1.575,00
€ 0,63 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)
€ 1.842,75
€ 0,737 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)
2500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
104 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.4 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Czech Republic
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda