onsemi N-Channel MOSFET, 79 A, 30 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS4936NT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 645,00
€ 0,43 komadno (u namotaju od 1500) (bez PDV-a)
€ 754,65
€ 0,503 komadno (u namotaju od 1500) (s PDV-om)
1500
€ 645,00
€ 0,43 komadno (u namotaju od 1500) (bez PDV-a)
€ 754,65
€ 0,503 komadno (u namotaju od 1500) (s PDV-om)
1500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda