Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S

RS kataloški broj:: 168-7983robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK56A12N1,S4X(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

56 A

Maximum Drain Source Voltage

120 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.5mm

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

69 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 183,85

KM 3,677 Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)

KM 215,10

KM 4,302 Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S

50

Dostupno u više komada 50
50KM 183,85
100KM 367,69
150KM 551,54
200KM 735,38
250KM 919,23
300KM 1.103,07
350KM 1.286,92
400KM 1.470,76
450KM 1.654,61
500KM 1.838,45
550KM 2.022,30
600KM 2.206,14
650KM 2.389,99
700KM 2.573,83
750KM 2.757,68

KM 183,85

KM 3,677 Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)

KM 215,10

KM 4,302 Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

50

Dostupno u više komada 50
50KM 183,85
100KM 367,69
150KM 551,54
200KM 735,38
250KM 919,23
300KM 1.103,07
350KM 1.286,92
400KM 1.470,76
450KM 1.654,61
500KM 1.838,45
550KM 2.022,30
600KM 2.206,14
650KM 2.389,99
700KM 2.573,83
750KM 2.757,68

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

56 A

Maximum Drain Source Voltage

120 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.5mm

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

69 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više