Vishay P-Channel MOSFET, 9.6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7121DN-T1-GE3

RS kataloški broj:: 818-1380brend: VishayProizvođački broj:: SI7121DN-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

9.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

26 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

27.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

33 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

3.15mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-50 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.933

RSD 193,34 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)

RSD 2.320

RSD 232,008 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)

Vishay P-Channel MOSFET, 9.6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7121DN-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10RSD 1.933
20RSD 3.867
30RSD 5.800
40RSD 7.734
50RSD 9.667
60RSD 11.600
70RSD 13.534
80RSD 15.467
90RSD 17.401
100RSD 15.676
110RSD 17.244
120RSD 18.811
130RSD 20.379
140RSD 21.947
150RSD 23.514

RSD 1.933

RSD 193,34 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)

RSD 2.320

RSD 232,008 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)

Vishay P-Channel MOSFET, 9.6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7121DN-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10RSD 1.933
20RSD 3.867
30RSD 5.800
40RSD 7.734
50RSD 9.667
60RSD 11.600
70RSD 13.534
80RSD 15.467
90RSD 17.401
100RSD 15.676
110RSD 17.244
120RSD 18.811
130RSD 20.379
140RSD 21.947
150RSD 23.514

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo pakovanje
10 - 90RSD 193,34RSD 1.933
100 - 240RSD 156,762RSD 1.568
250 - 490RSD 126,716RSD 1.267
500 - 990RSD 116,265RSD 1.163
1000+RSD 103,202RSD 1.032

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

9.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

26 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

27.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

33 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

3.15mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-50 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više