Vishay P-Channel MOSFET, 110 A, 60 V, 3-Pin D2PAK SUM110P06-07L-E3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Taiwan, Province Of China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 2.240,00
€ 2,80 komadno (u namotaju od 800) (bez PDV-a)
€ 2.620,80
€ 3,276 komadno (u namotaju od 800) (s PDV-om)
800
€ 2.240,00
€ 2,80 komadno (u namotaju od 800) (bez PDV-a)
€ 2.620,80
€ 3,276 komadno (u namotaju od 800) (s PDV-om)
800
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Taiwan, Province Of China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda