onsemi N-Channel MOSFET, 123 A, 80 V, 5-Pin DFN NTMFS6H818NT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 229.264
RSD 152,843 komad (u Reel od 1500) (bez PDV-a)
RSD 275.117
RSD 183,412 komad (u Reel od 1500) (s PDV-om)
1500
RSD 229.264
RSD 152,843 komad (u Reel od 1500) (bez PDV-a)
RSD 275.117
RSD 183,412 komad (u Reel od 1500) (s PDV-om)
1500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda