Vishay Siliconix N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR392DP-T1-GE3

RS kataloški broj:: 178-3670robna marka: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SiDR392DP-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

900 μΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V, +6 V

Number of Elements per Chip

1

Width

5mm

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

125 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Height

1.07mm

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 11.793,47

KM 3,931 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 13.798,36

KM 4,599 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

Vishay Siliconix N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR392DP-T1-GE3

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 11.793,47
6000KM 23.586,95
9000KM 35.380,42
12000KM 47.173,90
15000KM 58.967,37
18000KM 70.760,84
21000KM 82.554,32
24000KM 94.347,79
27000KM 106.141,27
30000KM 117.934,74
33000KM 129.728,21
36000KM 141.521,69
39000KM 153.315,16
42000KM 165.108,64
45000KM 176.902,11

KM 11.793,47

KM 3,931 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 13.798,36

KM 4,599 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

Vishay Siliconix N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR392DP-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 11.793,47
6000KM 23.586,95
9000KM 35.380,42
12000KM 47.173,90
15000KM 58.967,37
18000KM 70.760,84
21000KM 82.554,32
24000KM 94.347,79
27000KM 106.141,27
30000KM 117.934,74
33000KM 129.728,21
36000KM 141.521,69
39000KM 153.315,16
42000KM 165.108,64
45000KM 176.902,11

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

900 μΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V, +6 V

Number of Elements per Chip

1

Width

5mm

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

125 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Height

1.07mm

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više