Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

Name: Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1
Brand: Infineon
SKU: 2224670
Availability: LimitedAvailability

RS kataloški broj:: 222-4670robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPD60R280CFD7ATMA1

Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

0.28 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

Transistor Material

Silicon

€ 3.000,00

€ 1,20 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)

€ 3.510,00

€ 1,404 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

2500

€ 3.000,00

€ 1,20 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)

€ 3.510,00

€ 1,404 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2500

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda

Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

0.28 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

Transistor Material

Silicon