onsemi N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 FDP4D5N10C

RS kataloški broj:: 181-1859robna marka: onsemiProizvođački broj:: FDP4D5N10C
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.67mm

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

15.21mm

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

€ 3.672,00

€ 4,59 Each (In a Tube of 800) (bez PDV-a)

€ 4.296,24

€ 5,37 Each (In a Tube of 800) (s PDV-om)

onsemi N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 FDP4D5N10C

€ 3.672,00

€ 4,59 Each (In a Tube of 800) (bez PDV-a)

€ 4.296,24

€ 5,37 Each (In a Tube of 800) (s PDV-om)

onsemi N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 FDP4D5N10C

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.67mm

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

15.21mm

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više