STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL4N80K5
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
5.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
komadno ( isporučuje se kao traka) (bez PDV-a)
Standard
5
Cijena na upit
komadno ( isporučuje se kao traka) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
5.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda