Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3

RS kataloški broj:: 178-3916brend: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SQJA76EP-T1_GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

66 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

66 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

RSD 1.960

RSD 195,952 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)

RSD 2.351

RSD 235,142 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10RSD 1.960
20RSD 3.919
30RSD 5.879
40RSD 7.838
50RSD 9.798
60RSD 11.757
70RSD 13.717
80RSD 15.676
90RSD 17.636
100RSD 15.415
110RSD 16.956
120RSD 18.498
130RSD 20.039
140RSD 21.581
150RSD 23.122

RSD 1.960

RSD 195,952 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)

RSD 2.351

RSD 235,142 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10RSD 1.960
20RSD 3.919
30RSD 5.879
40RSD 7.838
50RSD 9.798
60RSD 11.757
70RSD 13.717
80RSD 15.676
90RSD 17.636
100RSD 15.415
110RSD 16.956
120RSD 18.498
130RSD 20.039
140RSD 21.581
150RSD 23.122

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinaJedinična cenaPo pakovanje
10 - 90RSD 195,952RSD 1.960
100 - 490RSD 154,149RSD 1.541
500 - 990RSD 135,86RSD 1.359
1000+RSD 121,49RSD 1.215

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

66 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

66 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više