Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 SI3477DV-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Series
TrenchFET
Package Type
TSOP-6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 124,00
€ 0,62 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 145,08
€ 0,725 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
200
€ 124,00
€ 0,62 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 145,08
€ 0,725 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (kolut)
200
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | Jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 200 - 980 | € 0,62 | € 12,40 |
| 1000 - 1980 | € 0,57 | € 11,40 |
| 2000+ | € 0,56 | € 11,20 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Series
TrenchFET
Package Type
TSOP-6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda