Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA00DP-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
147 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.12mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 170,00
€ 3,40 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 198,90
€ 3,978 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
50
€ 170,00
€ 3,40 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 198,90
€ 3,978 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (kolut)
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | Jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 3,40 | € 17,00 |
| 125 - 245 | € 3,20 | € 16,00 |
| 250 - 495 | € 3,15 | € 15,75 |
| 500+ | € 3,05 | € 15,25 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
147 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.12mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda