N-Channel MOSFET, 150 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc BS170FTA
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 4,70
€ 0,94 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)
€ 5,50
€ 1,10 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)
Standard
5
€ 4,70
€ 0,94 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)
€ 5,50
€ 1,10 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)
Standard
5
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 25 | € 0,94 | € 4,70 |
| 30 - 145 | € 0,64 | € 3,20 |
| 150 - 745 | € 0,50 | € 2,50 |
| 750 - 1495 | € 0,46 | € 2,30 |
| 1500+ | € 0,43 | € 2,15 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda