N-Channel MOSFET, 7 A, 700 V, 3+Tab-Pin IPAK Diodes Inc DMJ70H900HJ3

RS kataloški broj:: 133-3380robna marka: DiodesZetexProizvođački broj:: DMJ70H900HJ3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

DiodesZetex

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Package Type

TO-251

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3+Tab

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

68 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

2.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.4 nC @ 10 V

Height

7.17mm

Series

DMJ70H900HJ3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 7 A, 700 V, 3+Tab-Pin IPAK Diodes Inc DMJ70H900HJ3

5

Dostupno u više komada 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 7 A, 700 V, 3+Tab-Pin IPAK Diodes Inc DMJ70H900HJ3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

5

Dostupno u više komada 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

DiodesZetex

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Package Type

TO-251

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3+Tab

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

68 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

2.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.4 nC @ 10 V

Height

7.17mm

Series

DMJ70H900HJ3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više