Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.7 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 ZXM61N02FTA
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 5.683
RSD 37,884 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 6.819
RSD 45,461 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
150
RSD 5.683
RSD 37,884 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 6.819
RSD 45,461 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
150
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda