N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC040N10NS5ATMA1
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Width
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.49mm
Height
1.1mm
Series
BSC040N10NS5
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 3,30
Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)
€ 3,861
Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)
10
€ 3,30
Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)
€ 3,861
Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)
10
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 3,30 | € 33,00 |
| 20 - 40 | € 2,80 | € 28,00 |
| 50 - 90 | € 2,75 | € 27,50 |
| 100 - 240 | € 2,65 | € 26,50 |
| 250+ | € 2,55 | € 25,50 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Width
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.49mm
Height
1.1mm
Series
BSC040N10NS5
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda