Silicon N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 Infineon BSZ0909NDXTMA1
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
OptiMOSTM3
Package Type
PQFN 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.018 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
OptiMOSTM3
Package Type
PQFN 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.018 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda