Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray Infineon FF2000UXTR33T2M1BPSA1

Name: Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray Infineon FF2000UXTR33T2M1BPSA1
Brand: Infineon
SKU: 0277194

RS kataloški broj:: 277-194robna marka: InfineonProizvođački broj:: FF2000UXTR33T2M1BPSA1

Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current

925 A

Maximum Drain Source Voltage

3300 V

Package Type

Tray

Series

XHP

Mounting Type

Screw Mount

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

Zemlja podrijetla

Germany

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray Infineon FF2000UXTR33T2M1BPSA1

P.O.A.

Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray Infineon FF2000UXTR33T2M1BPSA1

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda

Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current

925 A

Maximum Drain Source Voltage

3300 V

Package Type

Tray

Series

XHP

Mounting Type

Screw Mount

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

Zemlja podrijetla

Germany