N-Channel MOSFET, 64 A, 250 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB64N25S320ATMA1
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
10.25mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
67 nC @ 10 V
Series
IPB64N25S3-20
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.4mm
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 8,70
Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)
€ 10,179
Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)
5
€ 8,70
Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)
€ 10,179
Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)
5
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 8,70 | € 43,50 |
| 10 - 20 | € 7,50 | € 37,50 |
| 25 - 45 | € 7,35 | € 36,75 |
| 50 - 120 | € 7,10 | € 35,50 |
| 125+ | € 6,85 | € 34,25 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
10.25mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
67 nC @ 10 V
Series
IPB64N25S3-20
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.4mm
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda