Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1

RS kataloški broj:: 214-9061brend: InfineonProizvođački broj:: IPG20N06S4L11AATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SuperSO8 5 x 6 Dual

Series

OptiMOS™ -T2

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0112 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 705.428

RSD 141,086 komad (u Reel od 5000) (bez PDV-a)

RSD 846.514

RSD 169,303 komad (u Reel od 5000) (s PDV-om)

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1

5000

Dostupno u više komada 5000
5000RSD 705.428
10000RSD 1.410.857
15000RSD 2.116.285
20000RSD 2.821.714
25000RSD 3.527.142
30000RSD 4.232.571
35000RSD 4.937.999
40000RSD 5.643.428
45000RSD 6.348.856
50000RSD 7.054.285
55000RSD 7.759.713
60000RSD 8.465.142
65000RSD 9.170.570
70000RSD 9.875.998
75000RSD 10.581.427

RSD 705.428

RSD 141,086 komad (u Reel od 5000) (bez PDV-a)

RSD 846.514

RSD 169,303 komad (u Reel od 5000) (s PDV-om)

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

5000

Dostupno u više komada 5000
5000RSD 705.428
10000RSD 1.410.857
15000RSD 2.116.285
20000RSD 2.821.714
25000RSD 3.527.142
30000RSD 4.232.571
35000RSD 4.937.999
40000RSD 5.643.428
45000RSD 6.348.856
50000RSD 7.054.285
55000RSD 7.759.713
60000RSD 8.465.142
65000RSD 9.170.570
70000RSD 9.875.998
75000RSD 10.581.427

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SuperSO8 5 x 6 Dual

Series

OptiMOS™ -T2

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0112 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više