N-Channel MOSFET, 850 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH103,215

RS kataloški broj:: 103-7554robna marka: NexperiaProizvođački broj:: BSH103,215
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

850 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.1 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 0,20

komadno (u namotaju od 3000) (bez PDV-a)

€ 0,234

komadno (u namotaju od 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 850 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH103,215

€ 0,20

komadno (u namotaju od 3000) (bez PDV-a)

€ 0,234

komadno (u namotaju od 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 850 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH103,215
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

850 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.1 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više