P-Channel MOSFET, 180 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS84AK,215
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
180 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 0,15
komadno (u namotaju od 100) (bez PDV-a)
€ 0,176
komadno (u namotaju od 100) (s PDV-om)
100
€ 0,15
komadno (u namotaju od 100) (bez PDV-a)
€ 0,176
komadno (u namotaju od 100) (s PDV-om)
100
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,15 | € 15,00 |
| 200 - 400 | € 0,12 | € 12,00 |
| 500 - 900 | € 0,11 | € 11,00 |
| 1000+ | € 0,07 | € 7,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
180 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda