N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-220 onsemi FCP125N65S3R0
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
181 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Height
16.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 4,80
Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)
€ 5,616
Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)
50
€ 4,80
Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)
€ 5,616
Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)
50
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 4,80 | € 240,00 |
| 100 - 200 | € 3,90 | € 195,00 |
| 250 - 450 | € 3,80 | € 190,00 |
| 500 - 950 | € 3,75 | € 187,50 |
| 1000+ | € 3,40 | € 170,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
181 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Height
16.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda