N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi NTHL065N65S3F
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
337 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 13,25
Each (In a Tube of 30) (bez PDV-a)
€ 15,502
Each (In a Tube of 30) (s PDV-om)
30
€ 13,25
Each (In a Tube of 30) (bez PDV-a)
€ 15,502
Each (In a Tube of 30) (s PDV-om)
30
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 30 - 90 | € 13,25 | € 397,50 |
| 120+ | € 13,00 | € 390,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
337 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda