N-Channel MOSFET, 2.4 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4170NT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
480 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.76 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 0,16
komadno (u namotaju od 3000) (bez PDV-a)
€ 0,187
komadno (u namotaju od 3000) (s PDV-om)
3000
€ 0,16
komadno (u namotaju od 3000) (bez PDV-a)
€ 0,187
komadno (u namotaju od 3000) (s PDV-om)
3000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
480 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.76 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda