Renesas Electronics RJH60F3DPQ-A0#T0 IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-247A, Through Hole

RS kataloški broj:: 124-3701robna marka: Renesas ElectronicsProizvođački broj:: RJH60F3DPQ-A0#T0
brand-logo
Prikaži sve u IGBTs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Renesas Electronics

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

178.5 W

Package Type

TO-247A

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.94 x 5.02 x 21.13mm

Gate Capacitance

1260pF

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

Renesas Electronics RJH60F3DPQ-A0#T0 IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-247A, Through Hole
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 2.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 2.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

2

Dostupno u više komada 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Renesas Electronics RJH60F3DPQ-A0#T0 IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-247A, Through Hole
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 2.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 2.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

2

Dostupno u više komada 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Renesas Electronics

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

178.5 W

Package Type

TO-247A

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.94 x 5.02 x 21.13mm

Gate Capacitance

1260pF

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više