N-Channel MOSFET Transistor, 13 A, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STF18N60M6
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 2,80
Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)
€ 3,276
Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)
50
€ 2,80
Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)
€ 3,276
Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)
50
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,80 | € 140,00 |
| 100 - 450 | € 2,30 | € 115,00 |
| 500+ | € 2,25 | € 112,50 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda