P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SOIC STMicroelectronics STS10P4LLF6
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
STripFET
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Height
1.5mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 3.750,00
€ 1,50 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)
€ 4.387,50
€ 1,755 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)
2500
€ 3.750,00
€ 1,50 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)
€ 4.387,50
€ 1,755 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
STripFET
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Height
1.5mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda