N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW35N60DM2

RS kataloški broj:: 111-6482robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STW35N60DM2
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

110 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

210 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

54 nC @ 10 V

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

20.15mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 36,64

KM 18,32 Each (In a Pack of 2) (bez PDV-a)

KM 42,87

KM 21,434 Each (In a Pack of 2) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW35N60DM2
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 2.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 2.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

2

Dostupno u više komada 2
2KM 36,64
4KM 73,28
6KM 109,92
8KM 146,56
10KM 176,49
12KM 211,79
14KM 247,09
16KM 282,39
18KM 317,69
20KM 331,36
22KM 364,49
24KM 397,63
26KM 430,76
28KM 463,90
30KM 497,03

KM 36,64

KM 18,32 Each (In a Pack of 2) (bez PDV-a)

KM 42,87

KM 21,434 Each (In a Pack of 2) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW35N60DM2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 2.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 2.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

2

Dostupno u više komada 2
2KM 36,64
4KM 73,28
6KM 109,92
8KM 146,56
10KM 176,49
12KM 211,79
14KM 247,09
16KM 282,39
18KM 317,69
20KM 331,36
22KM 364,49
24KM 397,63
26KM 430,76
28KM 463,90
30KM 497,03

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
2 - 8KM 18,32KM 36,64
10 - 18KM 17,649KM 35,30
20 - 48KM 16,568KM 33,14
50 - 98KM 15,508KM 31,02
100+KM 15,313KM 30,63

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

110 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

210 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

54 nC @ 10 V

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

20.15mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više