STMicroelectronics ST SiC N-Channel MOSFET Module, 68 A, 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 STW70N65DM6
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
68 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
ST
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.036 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 60.863
RSD 2.028,76 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 73.035
RSD 2.434,512 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
30
RSD 60.863
RSD 2.028,76 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 73.035
RSD 2.434,512 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
30
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
68 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
ST
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.036 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda