N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK11P65W,RQ(S

RS kataloški broj:: 133-2796robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK11P65W,RQ(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.1 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

440 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

100 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.7V

Height

2.3mm

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 9,60

€ 1,92 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

€ 11,23

€ 2,246 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK11P65W,RQ(S

5

Dostupno u više komada 5
5€ 9,60
10€ 19,20
15€ 28,80
20€ 38,40
25€ 44,00
30€ 52,80
35€ 61,60
40€ 70,40
45€ 79,20
50€ 88,00
55€ 96,80
60€ 105,60
65€ 114,40
70€ 123,20
75€ 132,00

€ 9,60

€ 1,92 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

€ 11,23

€ 2,246 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK11P65W,RQ(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

5

Dostupno u više komada 5
5€ 9,60
10€ 19,20
15€ 28,80
20€ 38,40
25€ 44,00
30€ 52,80
35€ 61,60
40€ 70,40
45€ 79,20
50€ 88,00
55€ 96,80
60€ 105,60
65€ 114,40
70€ 123,20
75€ 132,00

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
5 - 20€ 1,92€ 9,60
25+€ 1,76€ 8,80

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.1 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

440 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

100 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.7V

Height

2.3mm

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više