N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK25A60X5,S5X(M

RS kataloški broj:: 125-0554robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK25A60X5,S5X(M
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

45 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.5mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Detalji o proizvodu

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK25A60X5,S5X(M

2

Dostupno u više komada 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK25A60X5,S5X(M
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2

Dostupno u više komada 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

45 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.5mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Detalji o proizvodu

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više